注册 登录  
 加关注
   显示下一条  |  关闭
温馨提示!由于新浪微博认证机制调整,您的新浪微博帐号绑定已过期,请重新绑定!立即重新绑定新浪微博》  |  关闭

小雨的博客

我的空间,我做主!

 
 
 

日志

 
 

笔记整理之  

2012-04-20 21:49:51|  分类: a little |  标签: |举报 |字号 订阅

  下载LOFTER 我的照片书  |

功率MOSFET:阀值电压一般1.5~5V,GS电压一般为10~18V,不能过高也不能太低,过高会击穿,低了导通电阻大损耗就大。GS击穿电压一般为20V。过压保护:GS间接大约20V的稳压管或K级的电阻,DS间加RCD或RC抑制电路。

NTC温度传感器原理及温度计算。

DS18B20

ESR与ESL,大容量小ESR的电容价格高,可选并联使用,可满足大容量小ESR的场合。

TVS瞬态电压抑制二极管(有单向和双向)

LEM的电压传感器和电流传感器

拉电流,吸电流,灌电流

上拉电阻,下拉电阻及接法和常用阻值。

  评论这张
 
阅读(12)| 评论(0)
推荐 转载

历史上的今天

在LOFTER的更多文章

评论

<#--最新日志,群博日志--> <#--推荐日志--> <#--引用记录--> <#--博主推荐--> <#--随机阅读--> <#--首页推荐--> <#--历史上的今天--> <#--被推荐日志--> <#--上一篇,下一篇--> <#-- 热度 --> <#-- 网易新闻广告 --> <#--右边模块结构--> <#--评论模块结构--> <#--引用模块结构--> <#--博主发起的投票-->
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

页脚

网易公司版权所有 ©1997-2017