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齐纳击穿  

2009-09-18 13:35:43|  分类: a little |  标签: |举报 |字号 订阅

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齐纳击穿亦称隧道击穿,它与雪崩击穿的性质完全不同,它是在比较低的反向电压下发生的击穿。根据能带理论,在高掺杂浓度的PN结中,P区和N区之间能带的间距较窄,再加上反偏电压强度增加,进一步使该间距减小,P区中的某些电子则可能穿透空间电荷区(称为隧道效应)进入N区,变为自由电子,并形成反向电流,即发生了齐纳击穿。齐纳击穿主要决定于空间电荷区内的最大电场,齐纳击穿多发生在掺杂浓度高的特殊器件中。
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